Intel dovršava razvojnu fazu 32-nanometarskog procesa
Korporacija Intel je završila razvojnu fazu svog proizvodnog procesa sledeće generacije kojim će se dodatno smanjiti elektronska kola na čipu na 32 nanometra (milijarditi deo metra). Nakon uspostavljanja redovne proizvodnje 32 nm procesa, buduća generacija procesora će podrazumevati korišćenje energetski efikasnijih i gušće spakovanih tranzistora sa boljim performansama u četvrtom kvartalu 2009. godine.
Intel će predstaviti mnoštvo tehničkih detalja u vezi sa 32-nanometarskom tehnologijom kao i nekoliko drugih tema tokom prezentacija na Međunarodnom skupu o elektronskim uređajima (International Electron Devices meeting – IEDM) u San Francisku. Završivši razvojnu fazu 32-nanometarskog tehnološkog procesa i proizvodne spremnosti unutar ovog vremenskog okvira znači da Intel uspeva da održi korak sa svojim ambicioznom proizvodnom i proizvođačkom kadencom koja se pominje i kao kompanijska “tik-tak” strategija.
Taj plan se vrti oko uvođenja potpuno nove procesorske mikroarhitekture naizmenično sa vrhunskim proizvođačkim procesom svakih 12 meseci, što niko nije nadmašio u ovom industrijskom sektoru. Proizvodnja čipova od 32 nanometra sledeće godine će obeležiti četvrtu uzastopnu godinu u kojoj je Intel postigao svoj cilj.
U Intelovom dokumentu o 32-nanometarskoj tehnologiji i u prezentaciji se opisuje logička tehnologija koja obuhvata drugu generaciju “high-k + metal gate” tehnologije (prim. prev. novi materijal “high-k”, tj. hafnijum menja dielektrik tranzistorske kapije od silicijum dioksida, i novi metali zamenjuju polisilicijumske elektrode od NMOS i PMOS tranzistora), 193-nanometarska imerziona litografija za kritične šablonske slojeve i poboljšane tranzistorske tehnike. Ove karakteristike poboljšavaju performanse i energetsku efikasnost Intelovih procesora. Intelov proizvodni proces ima najbolji učinak tranzistora i najveću gustinu tranzistora među svim poznatim 32-nanometarskim tehnologijama u ovom industrijskom sektoru.
„Naša veština u proizvodnji i sami proizvodi su nam pomogli da povećamo svoje vođstvo u pogledu računarskih performansi i životnog veka baterije za prenosive računare zasnovane na Intelovim procesorima, kao i servera i stonih računara“, rekao je Mark Bor, Intelov stariji istraživač i direktor procesne arhitekture i integracije. „Kao što smo to pokazali ove godine, proizvođačka strategija i njeno sprovođenje su nam takođe dali sposobnost da stvorimo potpuno nove proizvodne linije mobilnih internet uređaja (MIDs), potrošačke elektronike, „ugnježdene“ kompjutere i netbook-ove“.
U ostalim dokumentima Intela za Međunarodni skup o elektronskim uređajima će se opisati verzija sistema na čipu s malom potrošnjom energije proizvedenog Intelovim 45-nanometarskim procesom, tranzistori zasnovani na složenim poluprovodnicima, supstratni inženjerski postupak radi poboljšanja performansi 45-nanometarskih tranzistora, integrisanje hemijske i mehaničke politure za 45-nm čvor i šire (prim. prev. mesto ukrštanja dva ili više elementa elektronskog kola); i integrisanje silicijumskih fotoničnih modulatora. Intel će takođe učestvovati na kratkom kursu o 22-nanometarskoj CMOS tehnologiji.
