Samsung počeo masovnu proizvodnju 3D V-NAND fleša

Kompanija Samsung najavila je da je počela masovnu proizvodnju prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije u toj grani industrije.

V-NAND 04Postigavši napredak u performansama i prostoru, novi 3D V-NAND koristiće se u širokom spektru potrošačkih elektronskih uređaja i korporativnih primena, uključujući ugrađena NAND skladišta i SSD, navodi se u zvaničnom saopštenju ove kompanije.

Samsungov novi V-NAND nudi gustinu od 128 gigabita (Gb) na jednom čipu, koristeći vertikalnu strukturu ćelije koja se zasniva na tehnologiji 3D Charge Trap Flash (CTF) i tehnološkom procesu vertikalnog međusobnog povezivanja kako bi povezao matricu 3D ćelije. Primenom obe tehnologije, Samsungov 3D V-NAND može da ponudi za preko dva puta veće skaliranje planarnog NAND fleša u klasi od 20 nm.

„Nova 3D V-NAND fleš tehnologija je rezultat dugogodišnjih napora naših zaposlenih da prevaziđu granice konvencionalnog načina razmišljanja i slede inovativnije pristupe u prevazilaženju ograničenja u dizajnu tehnologije memorijskih poluprovodnika“, izjavio je Džong-Hjuk Čoi, potpredsednik poslovne jedinice za fleš proizvode i tehnologije u kompaniji Samsung Electronics.

„Nakon masovne proizvodnje prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije, nastavićemo da predstavljamo 3D V-NAND proizvode sa boljim performansama i većom gustinom, što će doprineti rastu globalne industrije memorije.“

Prema IHS iSuppli, očekuje se da će globalno tržište NAND fleš memorija skočiti na oko 30.8 milijardi dolara u prihodima do kraja 2016. godine, sa oko 23.6 milijardi tokom 2013. sa ukupnom godišnjom stopom rasta od 11 procenata, pri čemu će predvoditi rast čitave industrije memorija.


Microsoft
DevOps Testing
Bizit

Twitter