Kompanije Intel i Numonyx došle do krucijalnih saznanja u oblasti PCM tehnologije
Korporacije Intel i Numonyx B.V su objavile da je ostvaren ključan napredak u razvoju memorije sa promenljivom fazom (PCM), nove tehnologije u izradi memorija koje kombinuju brojne prednosti današnjih različitih tipova memorija. Po prvi put istraživači su predstavili 64 Mb testni čip koji omogućuje slaganje ili postavljanje više slojeva PCM nizova u jednu kockicu. Ovo otkriće omogućuje stvaranje memorijskih uređaja većeg kapaciteta, niže potrošnje energije i optimalnog korišćenja prostora pri nasumničnom pristupu nepromenljivoj memoriji i aplikacijama skladištenja.
Postignuti rezultati proizvod su zajedničkog istraživačkog programa razvijenog od strane kompanija Numonyx i Intel koji se fokusira na istraživanje višeslojnih ili složenih PCM ćelijskih nizova. Istraživači obe kompanije su sada u prilici da prikažu vertikalno integrisanu memorijsku ćeliju – nazvanu PCMS (memorije sa promenom faze i prekidač). PCMS se sastoji od jednog PCM elementa složenog sa novim Ovonic Threshold prekidačem (OTS) u unakrsnom rasporedu. Mogućnost slaganja ili postavljanja u slojeve nizova PCMS omogućuje skalabilnost viših memorijskih gustina dok performanse i karakteristike PCM ostaju očuvane, što je izazov koji je predstavljao sve veći i veći problem sa tradicionalnim tehnologijama korištenim za izradu memorije.
“Nastavljamo sa razvojem tehnologije za memoriju kako bi unapredili kompjutersku platformu,” kazao je Al Fazio, pridruženi saradnik kompanije Intel i direktor odseka za Memoriju i tehnološki razvoj. “Mi smo ohrabreni ovim uspehom i vidimo buduću memorijsku tehnologiju, kao što je PCMS, kao presudnu za nastavak značaja memorije za rešenja primenjena na računare i proširenje kvaliteta performansi i memorijsko skaliranje.”
“Rezultati veoma obećavaju” kazao je Greg Atwood, viši tehnolog u kompaniji Numonyx. “Rezultati pokazuju potencijal za veće gustine, skalabilne nizove i predstavljaju model PCM proizvoda u budućnosti, po uzoru na NAND proizvode. Ovo je važno jer se tradicionalne tehnologije fleš memorije suočavaju sa izazovima fizičkog ograničenja i pouzdanosti, dok istovremeno postoji zahtev za unapređivanjem memorije u svim uređajima, od mobilnih telefona do centara podataka.”
Više informacija o memorijskim ćelijama, unakrsnim nizovima, eksperimentima i rezultatima biće objavljeni u zajedničkom štampanom izdanju “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” i predstavljeno u zajedničkom izdanju na IEDM (International Electron Devices Meeting) susretu 9. decembra u Baltimoru, Merilend. Koautori dokumenta su naučnici kompanija Intel i Numonyx i biće predstavljeni od strane višeg inženjera kompanije Intel, DerChang Kau.
Izvor: MMD Public Relations
