Samsung bi mogao prvi da napravi NAND od 1000 nivoa

Kao što se proizođači čipova utrkuju ko će prvi da ovlada novim proizvodnim procesima, tako se i proizvođači NAND fleš memorija utrkuju ko će prvi dostići vrednost od 1 petabyte-a (1.000 terabajta) na jednom SSD-u. Da bi se to postiglo, neophodan je veliki broj nivoa unutar NAND fleša. Po svemu sudeći, Samsung je otkrio „trik“ koji će mu omogućiti da prvi pređe tu ciljnu liniju.

PCPress.rs Image

Na tehnološkom simpozijumu koji će biti uskoro održan na Havajima, jednu od prezentacija održaće istraživači sa Korejskog naprednog instituta nauke i tehnologije (Korea Advanced Institute of Science and Technology – KAIST). Oni će predstaviti svoja saznanja zasnovana na Hafnia Ferroelectrics-u, koji bi mogao da obezbedi QLC NAND sa više od 1.000 nivoa. Puno ime prezentacije je „In-depth Analysis of the Hafnia Ferroelectrics as a Key Enabler for Low Voltage & QLC 3D VNAND Beyond 1K Layer Experimental Demonstration and Modeling.”

Ovo istraživanje bi moglo da u potpunosti promeni način proizvodnje SSD-ova, ali je još uvek daleko od svakodnevne primene. Tehnologija još uvek nije dovoljno razvijena niti razumljiva, mada početna istraživanja obećavaju, jer omogućava upotrebu manjih električnih komponenti.

Pročitajte i:  Samsung obećao besplatnu zamenu ekrana nakon problema sa novim update-om

Iako Samsung ne učestvuje zvanično u tim istraživanjima, navedeno je da su istraživači u kontaktu sa ovom kompanijom. Veruje se da bi rezultati istraživanja mogli vrlo brzo da se proslede Samsung-ovoj laboratoriji koja se bavi razvojem NAND čipova. Inače, Samsung-ova deveta generacija V-NAND-ova ima 290 nivoa, što je još uvek prilično daleko od 1.000 nivoa neophodnih da bi se došlo do petabajtnog kapaciteta. Zato se ne očekuje da će ova vrednost biti dostignuta u narednih nekoliko godina i jasno je da je potrebna neka nova tehnologija da bi se dostigao taj cilj, a Hafnia Ferroelectrics deluje obećavajuće…

Izvor: ExtremeTech

Facebook komentari:
SBB

Tagovi: , , , , ,

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *