Samsung najavio V-NAND flash memoriju pete generacije

Samsung se već neko vreme nalazi na listi vodećih proizvođača memorija, pa je kompanija u skladu sa tim najavila i početak proizvodnje V-NAND čipova sledeće generacije.

Naime, radi se o petoj generaciji ovog proizvoda, a ključna opcija u okviru nove varijante jeste implementacija Toggle DDR 4.0 NAND interfejsa, koji omogućava za 40% brži transfer podataka između skladišta i RAM-a, u poređenju sa prethodnim varijantama, a uz dostizanje maksimuma od 1,4 Gbps. Pored boljih performansi, nova memorija donosi i poboljšanu efikasnost kada je potrošnja energije u pitanju.

Peta generacija V-NAND čipova podseća na prethodne, samo što umesto 64 ima 90 slojeva CTF ćelija, koje su organizovane u piramidalnu strukturu, sa mikroskopskim otvorima u sredini, koji mere tek nekoliko stotina nanometara u širinu, te služe kao kanali u kojima se nalazi preko 85 milijardi CTF ćelija, te mogu da uskladište do tri bita podataka.

Nova generacija donosi i značajno poboljšanje u brzini upisivanja podataka, a za 30% u odnosu na prethodnu generaciju, dok je odziv signala za čitanje smanjen za 50μs. Očekuje se da se novi čipovi visokih performansi pojave u sklopu novih Samsung-ovih uređaja, uključujući i nove premijum modele pametnih telefona.

Izvor: GSM Arena