Samsung prelazi na novi 3D V-NAND dizajn
Samsung je najavio novu generaciju V-NAND tehnologije za SSD-ove, koja će obezbediti 290 nivoa. Trenutno je u opticaju V-NAND tehnologija sa 236 nivoa.
Nezvanične informacije navode da će se Samsung za svoju devetu V-NAND generaciju prebaciti na „Double Stack“ dizajn. Ova tehnologija sačinjena je od dva sloja sa po 145 nivoa, sa vertikalnim interkonekcijama. S obzirom da je 3D V-NAND tehnološki veoma zahtevan i komplikovan proces, veruje se da ovakav dizajn povezivanja dva sloja sa po 145 nivoa biti znatno jednostavniji i jeftiniji za proizvodnju u odnosu na proizvodnju objedinjenih 290 nivoa.
Kompanija će nastaviti da usavršava ovu tehnologiju na budućim verzijama V-NAND-a, pa se očekuje da će 10. generacija imati tri sloja. Do kraja 2025. godine, Samsung očekuje da će kreirati V-NAND sa 430 nivoa. Ako to uspe, ova tehnologija će obezbediti Samsung-u da i dalje ostane ispred svog glavnog rivala, SK Hynix-a, koji trenutno nudi 238 nivoa, ali planira da sledeće godine pređe na 321 nivo.
Uzrok za „trku“ u povećanju gustine smeštenih podataka mogao bi da bude sve zastupljeniji AI, gde su potrebe za količinom memorije i smeštajnog kapaciteta, praktično neograničene. Stoga bi Samsung u budućnosti mogao da se više fokusira na povećanje gustine smeštaja podataka u odnosu na performanse. Uostalom, u to se uklapa i želja Samsung-a da do 2030. godine ponudi dizan koji će sadržati 1000 nivoa.
Izvor: ExtremeTech
