Novi dizajn poluprovodnika vodi ka duplo efikasnijim procesorima
Na IEDM (International Electron Devices Meeting) konferenciji u San Francisku, IBM i Samsung predstavili su inovativni dizajn poluprovodnika. Novi dizajn podrazumeva vertikalno slaganje tranzistora na čip i vodiće ka konstruisanju duplo bržih procesora.
Kako VTFET radi?
Tranzistori su, u postojećim procesorima i SoCs, na površini silikona položeni ravno, što uzrokuje da struja teče sa jedne na drugu stranu. Nasuprot tome, VTFET tranzistori (Vertical Transport Field Effect Transistors), položeni su jedan u odnosu na drugi normalno, pa struja teče vertikalno.
Samsung i IBM tvrde da postoje 2 prednosti ovakvog pristupa. Prva se odnosi na izbegavanje ograničenja performansi, što podrazumeva proširenje Murovog zakona van postojeće IBM-ove nanotehnologije. Druga i važnija prednost je u tome što se, zbog boljeg protoka struje, gubi manje energije. Procenjuje se da će se sa novom VTFET tehnologijom konstruisati procesori koji su ili duplo brži, ili koriste 85% manje snage od čipova dizajniranih sa FinFET tranzistorima.
Šta će novi dizajn čipova omogućiti?
Dve kompanije predviđaju da će novi dizajn poluprovodnika voditi ka izvršavanju energetski-intenzivnijih zadataka, kao što je kripto-rudarenje. Nova tehnologija proizvodnje vodi većoj energetskoj efikasnosti, što smanjenje štetne uticaje na sredinu. Osim toga, predviđa se da će telefoni budućnosti koji budu koristili ovakvu tehnologiju, raditi “punom snagom”
Još uvek nije poznato kada će se novi dizajn pojaviti na tržištu, ali treba napomenuti da ovo nisu jedine dve kompanije koje pokušavaju da prevaziđu 1- nanometarsku barijeru. Intel je najavio novi čip koji će koristiti “Intel 20A” čvor i RibbonFET tranzistore.
Izvor: Engadget
