Samsung počinje masovnu proizvodnju 10 nm 16 Gb LPDDR4X DRAM čipova

Samsung je objavio da počinje sa masovnom proizvodnjom druge generacije 10-nanometarskog 16 Gb LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate 4x) DRAM čipova. Sa ovim unapređenjem, Samsung će dobiti mogućnost upotrebe 4 GB, 6 GB i 8GB LPDDR4X paketa, koji će doneti smanjenje potrošnje od 10%, smanjenje debljine čipa od 20%, uz održavanje iste brzine protoka podataka (4266 Mb/s).

Možda će se ovi moduli naći u novom Galaxy Note 9 telefonu kojeg očekujemo za nekoliko dana, mada je realističnije da će se pojaviti u Samsung Galaxy S10 modelu, koji bi trebalo da se pojavi na tržištu početkom sledeće godine. Paket koji bi se koristio najverovatnije će se sastojati od četiri 10-nm 16 Gb LPDDr4X DRAM čipa. Jedan ovakav paket od 8 GB mogao bi da ostvari brzinu protoka podataka od 34.1 GB/s, pri čemu bi smanjenje debljine od 20% omogućilo pravljenje tanjih i elegantnijih mobilnih uređaja, ali i povećalo ukupnu efikasnost baterije.

Izvor: Gadget 360