Kina napravila proboj u tehnologiji skladištenja silikonskih fotoničkih čipova
Kineski timovi su postigli značajan napredak u skladištenju čipova sa visokim kapacitetima.
Laboratorija Juifengšan u Hubeiju je napravila značajan napredak u oblasti silicijum fotonske integracije. Uspeli su da integrišu laserski izvor svetlosti u čip na bazi silikona. Ova tehnologija je prvi put postignuta u Kini. Reč je o proboju koji se odnosi na fizičko usko grlo u prenosu velikih podataka između čipova.
Postignuće je napravljeno zahvaljujući samorazvijenoj tehnologiji heterogene integracije JFS koji uključuje složene procese za integraciju indijum lasera. Sama tehnologija se često naziva „emisija svetlsti čipa“ i zamenjuje električne signale efikasnijim optičkim signalima za prenos.
Kina je nedavno uspela i da napravi prvi kineski 3D memorijski čip sledeće generacije najvećeg kapaciteta. Reč je o čipu NM101 koji koristi inovativnu tehnolgiju 3D slaganja. Sam princip je zasnovan na promeni otpornosti u novim materijalima i koristi napredne proces.
Ovaj čip podržava nasumične operacije čitanja/pisanja, sa brzinama čitanja i pisanja koje su 10 puta veće od trenutnih proizvoda. A životni vek čipa je značajno produžen. Sam čip nudi rešenja za skladištenje velikog kapaciteta, velike gustine i velikog propusnog opsega što je od posebnog značaja za centre podataka i dobavljače računarstva u oblaku.
Ove dve novine u razvoju tehnologije pokazuju da Kina postaje u sve većoj meri samostalna.
Izvor: trendforce.com
