Samsung počeo masovnu proizvodnju 3D V-NAND fleša
Kompanija Samsung najavila je da je počela masovnu proizvodnju prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije u toj grani industrije.
Postigavši napredak u performansama i prostoru, novi 3D V-NAND koristiće se u širokom spektru potrošačkih elektronskih uređaja i korporativnih primena, uključujući ugrađena NAND skladišta i SSD, navodi se u zvaničnom saopštenju ove kompanije.
Samsungov novi V-NAND nudi gustinu od 128 gigabita (Gb) na jednom čipu, koristeći vertikalnu strukturu ćelije koja se zasniva na tehnologiji 3D Charge Trap Flash (CTF) i tehnološkom procesu vertikalnog međusobnog povezivanja kako bi povezao matricu 3D ćelije. Primenom obe tehnologije, Samsungov 3D V-NAND može da ponudi za preko dva puta veće skaliranje planarnog NAND fleša u klasi od 20 nm.
„Nova 3D V-NAND fleš tehnologija je rezultat dugogodišnjih napora naših zaposlenih da prevaziđu granice konvencionalnog načina razmišljanja i slede inovativnije pristupe u prevazilaženju ograničenja u dizajnu tehnologije memorijskih poluprovodnika“, izjavio je Džong-Hjuk Čoi, potpredsednik poslovne jedinice za fleš proizvode i tehnologije u kompaniji Samsung Electronics.
„Nakon masovne proizvodnje prve 3D vertikalne NAND (V-NAND) fleš memorije, nastavićemo da predstavljamo 3D V-NAND proizvode sa boljim performansama i većom gustinom, što će doprineti rastu globalne industrije memorije.“
Prema IHS iSuppli, očekuje se da će globalno tržište NAND fleš memorija skočiti na oko 30.8 milijardi dolara u prihodima do kraja 2016. godine, sa oko 23.6 milijardi tokom 2013. sa ukupnom godišnjom stopom rasta od 11 procenata, pri čemu će predvoditi rast čitave industrije memorija.
